发明公开
CN111957327A 一种磷化钴纳米线阵列材料及其应用
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种磷化钴纳米线阵列材料及其应用
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申请号: CN202010744210.7申请日: 2020-07-29
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公开(公告)号: CN111957327A公开(公告)日: 2020-11-20
- 发明人: 刘敏 , 钱洲亥 , 毛南平 , 胡建根
- 申请人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址: 浙江省杭州市下城区朝晖八区华电弄1号
- 专利权人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市下城区朝晖八区华电弄1号
- 代理机构: 浙江翔隆专利事务所
- 代理商 张建青
- 主分类号: B01J27/185
- IPC分类号: B01J27/185 ; B01J37/08 ; C25B1/04 ; C25B11/06 ; C01B25/08 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种磷化钴纳米线阵列材料及其应用。本发明的磷化钴纳米线阵列材料通过以下方法制备:1)将泡沫镍置于1-5mol/L的盐酸中浸泡,去除表面杂质,将处理后的泡沫镍置于装有水热溶液的聚四氟乙烯内胆中,将聚四氟乙烯内胆放入不锈钢高压反应釜中,反应完成后冷却至室温,取出后用去离子水和乙醇洗净、冷风吹干后即得到钴纳米线阵列覆盖的泡沫镍;2)将覆盖有钴纳米线阵列的泡沫镍放于瓷舟中置于管式炉的下游,将磷化剂NaH2PO2·H2O放于瓷舟中置于管式炉的上游,在Ar氛围下进行热处理,即得到磷化钴纳米线阵列材料。本发明以钴纳米线阵列作为基体,可有效提高活性组分的比表面积,而且具有良好的循环稳定性。