发明授权
- 专利标题: 一种包覆型碳硅负极材料的制备方法
-
申请号: CN202010877236.9申请日: 2020-08-27
-
公开(公告)号: CN111960421B公开(公告)日: 2021-11-05
- 发明人: 贺川 , 杨敏 , 刘金旭 , 冯新娅 , 蔡奇
- 申请人: 北京理工大学
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 刘奇
- 主分类号: C01B33/02
- IPC分类号: C01B33/02 ; C01B32/05 ; H01M4/38 ; H01M4/62 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明提供了一种包覆型碳硅负极材料的制备方法,包括以下步骤:将聚四氟乙烯颗粒和硅颗粒混合后进行球磨,得到混合粉体;将所述混合粉体点燃,进行氧化还原反应,得到包覆型碳硅负极材料。本发明提供的制备方法先将聚四氟乙烯颗粒和硅颗粒进行球磨处理,实现混合粉体的均匀分散,再以混合粉体作为反应物,将其点燃后发生爆燃,在爆燃过程中聚四氟乙烯与部分硅发生剧烈的氧化还原反应,生成碳壳,同时爆燃放出的能量使得未反应的硅在高温下破碎形成硅微粒子,得到了包覆型碳硅负极材料,简化了工艺。实验表明,本发明的包覆型碳硅负极材料用于锂离子电池负极材料在400mA/g电流密度下,400个循环后容量为1200mAh g‑1。
公开/授权文献
- CN111960421A 一种包覆型碳硅负极材料的制备方法 公开/授权日:2020-11-20