- 专利标题： 一种具有难熔金属碳化物界面的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
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申请号： CN201910539780.X申请日： 2019-06-01
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公开(公告)号： CN112010663B公开(公告)日： 2021-11-19
- 发明人: 陈照峰 , 薛立平 , 杨丽霞
- 申请人： 南京航空航天大学
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区将军大道29号
- 专利权人： 南京航空航天大学
- 当前专利权人： 南京航空航天大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区将军大道29号
- 主分类号： C04B35/80
- IPC分类号： C04B35/80 ; C04B35/573 ; C04B35/622 ; C04B35/626
摘要：
本发明属于超高温陶瓷基复合材料领域，涉及一种具有难熔金属碳化物界面的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，即以难熔金属与热解碳界面反应生成难熔金属碳化物，与碳纤维反应结合，结合强度高，碳化硅基体通过化学气相渗透与聚碳硅烷循环浸渍热解制备。本发明的有益效果在于：(1)纤维得到有效保护，提高了纤维的高温抗衰减能力；(2)界面致密、界面强度高、抗裂纹扩展能力强，有效地防止氧气的侵蚀。
公开/授权文献
- CN112010663A 一种具有难熔金属碳化物界面的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 公开/授权日：2020-12-01
IPC分类:
