- 专利标题： 带铁电或负电容器的半导体器件及其制造方法及电子设备
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申请号： CN202010932030.1申请日： 2020-09-07
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公开(公告)号： CN112018185B公开(公告)日： 2024-03-05
- 发明人: 朱慧珑 , 黄伟兴
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 倪斌
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H10B53/30
摘要：
公开了一种带有铁电/负电容器的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上形成的栅电极以及源/漏极；在衬底上形成的正电容器，正电容器的第一端子电连接至栅电极；在衬底上形成的铁电或负电容器，铁电或负电容器的第一端子电连接至栅电极，其中，正电容器和铁电或负电容器中的一个电容器的第二端子电连接至栅电压施加端子，且正电容器和铁电或负电容器中的另一个电容器的第二端子电连接至源/漏极。
公开/授权文献
- CN112018185A 带铁电或负电容器的半导体器件及其制造方法及电子设备 公开/授权日：2020-12-01
IPC分类:
