- 专利标题: 采用气相技术对氧化镁基相变储热材料实现封装的方法
-
申请号: CN202010757162.5申请日: 2020-07-31
-
公开(公告)号: CN112047755A公开(公告)日: 2020-12-08
- 发明人: 李宝让 , 刘钰 , 邓占峰 , 徐桂芝 , 张高群 , 王天昊
- 申请人: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网天津市电力公司
- 申请人地址: 北京市昌平区回龙观北农路2号
- 专利权人: 华北电力大学,全球能源互联网研究院有限公司,国网天津市电力公司
- 当前专利权人: 华北电力大学,全球能源互联网研究院有限公司,国网天津市电力公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区回龙观北农路2号
- 代理机构: 北京卫平智业专利代理事务所
- 代理商 张新利; 谢建玲
- 主分类号: C04B41/50
- IPC分类号: C04B41/50 ; C04B41/45 ; C03B19/14 ; C09K5/06
摘要:
本发明公开了一种采用气相技术对氧化镁基相变储热材料实现封装的方法,包括以下步骤:将需要封装的氧化镁基复合相变储热材料放置在气氛炉中,以六氯化二硅或者四氯化硅,四氯化钛和有机铝化合物等混合气体为前驱气体,以氢气为载气体,通过低温气相复合渗镀工艺对复合变相材料进行表面处理,得到具有一定厚度渗层封装的氧化镁基复合相变材料。然后将获得的氧化镁基复合相变材料在一定温度下进行退火,在样品表面形成玻璃化封装。该方法在低温下通过形成渗层及其进一步反应对材料进行有效封装,同时也可以通过渗镀元素的有效扩散,提高了相变储热材料在液‑固相变时的粘度,阻止氧化镁基复合相变材料在高温服役时发生的相变材料的泄漏和挥发。
公开/授权文献
- CN112047755B 采用气相技术对氧化镁基相变储热材料实现封装的方法 公开/授权日:2021-09-17