- 专利标题: 基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理方法
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申请号: CN202010893761.X申请日: 2020-08-31
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公开(公告)号: CN112052205B公开(公告)日: 2022-07-08
- 发明人: 陈斌 , 齐银锋 , 杨才明 , 陈建平 , 金乃正 , 金军 , 朱玛 , 陶涛 , 李勇 , 张琦 , 顾建 , 李康毅 , 崔泓 , 周剑峰 , 董长征 , 谢永海 , 许晓飚
- 申请人: 浙江双成电气有限公司 , 绍兴建元电力集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司绍兴供电公司 , 杭州晨晓科技股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省绍兴市袍江工业区袍中南路3号; ; ;
- 专利权人: 浙江双成电气有限公司,绍兴建元电力集团有限公司,国网浙江省电力有限公司绍兴供电公司,杭州晨晓科技股份有限公司
- 当前专利权人: 浙江双成电气有限公司,绍兴建元电力集团有限公司,国网浙江省电力有限公司绍兴供电公司,杭州晨晓科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省绍兴市袍江工业区袍中南路3号; ; ;
- 代理机构: 杭州华鼎知识产权代理事务所
- 代理商 项军
- 主分类号: G06F13/16
- IPC分类号: G06F13/16 ; G06F3/06
摘要:
本发明涉及存储领域,尤其涉及一种基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理方法,包括:采用BANK轮询的方式从多个队列请求中仲裁出一个用户请求命令;根据要求将仲裁出来的用户请求命令切割成多个子命令;子命令信息提取以及转换并翻译成可执行的命令格式;将待写数据送入写数据缓存;根据用户接口读命令请求,将存储的数据回送用户接口。本发明基于DDR芯片的BANK轮询机制既提高了DDR芯片的读写效率,又解决了多端口读写同一片DDR芯片冲突问题,极大的提高DDR芯片的工作效率。
公开/授权文献
- CN112052205A 基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理方法 公开/授权日:2020-12-08