- 专利标题: 一种近场散射特性建模方法、电子设备及存储介质
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申请号: CN202010947214.5申请日: 2020-09-10
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公开(公告)号: CN112069713A公开(公告)日: 2020-12-11
- 发明人: 高伟 , 米晓林 , 廖意 , 张玉涛
- 申请人: 上海无线电设备研究所
- 申请人地址: 上海市闵行区中春路1555号
- 专利权人: 上海无线电设备研究所
- 当前专利权人: 上海无线电设备研究所
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区中春路1555号
- 代理机构: 上海元好知识产权代理有限公司
- 代理商 周乃鑫; 包姝晴
- 主分类号: G06F30/23
- IPC分类号: G06F30/23
摘要:
本发明公开了一种近场散射特性建模方法、电子设备及存储介质,所述方法包括:根据目标几何模型的曲率特性,采用非均匀网格剖分方法对所述目标几何模型进行网格划分。根据发射天线辐射特性分布,计算入射到所述目标几何模型表面的入射场,所述入射场的场强追踪每根入射线直至入射线出射。根据接收天线辐射特性分布,结合接收天线极化方式,获取接收天线位置处的每根出射射线的近场散射特性贡献。本发明考虑了入射波极化分量和接收天线接收特性,获取的近场特性包含了径向分量,完善了近场信息,是一种精确高效的仿真技术手段。
公开/授权文献
- CN112069713B 一种近场散射特性建模方法、电子设备及存储介质 公开/授权日:2022-12-23