发明授权
- 专利标题: 一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与其在紫外探测器中的应用
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申请号: CN202010968833.2申请日: 2020-09-15
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公开(公告)号: CN112071652B公开(公告)日: 2022-05-17
- 发明人: 高世勇 , 王金忠 , 任帅 , 毛谋文 , 张勇
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 主分类号: H01G9/20
- IPC分类号: H01G9/20 ; H01G9/042 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与应用,所述异质结构由ZnO纳米棒和SnO2八面体块构成,SnO2八面体生长在衬底上,ZnO纳米棒生长在SnO2八面体块的表面,整体呈刺猬状结构。本发明使用溶液合成的方法在衬底上生长大面积的刺猬状ZnO/SnO2异质结构,进一步将其作为工作电极,Pt作为对电极,两电极通过热封膜连接,器件中间注入碘电解质或去离子水,获得具有良好自供能特性的紫外探测器,应用于紫外探测领域。该方法操作简单、成本低、适合大规模生产,具有很高的实用价值。
公开/授权文献
- CN112071652A 一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与应用 公开/授权日:2020-12-11