- 专利标题： 一种NMOS功率管栅极箝位驱动模块、驱动电路和开关电源
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申请号： CN202011255119.5申请日： 2020-11-11
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公开(公告)号： CN112072898B公开(公告)日： 2021-02-02
- 发明人: 李瑞平 , 池伟 , 刘彬 , 吕战辉
- 申请人： 上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江北新区大厂街道兴达路88号147室
- 专利权人： 上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司
- 当前专利权人： 上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江北新区大厂街道兴达路88号147室
- 代理机构： 杭州五洲普华专利代理事务所
- 代理商 徐晶晶
- 主分类号： H02M1/08
- IPC分类号： H02M1/08
摘要：
本发明提供了一种NMOS功率管栅极箝位驱动模块、驱动电路和开关电源，NMOS功率管栅极箝位驱动模块包括BOOST电容充电模块、基准电流源模块、电平转移模块以及功率管驱动模块，且采用晶体管集成电路工艺实现。可以用较少的晶体管实现完整功能的NMOS驱动功能，具有结构简单、成本低、可靠性高的特点，且由于晶体管工艺中每个器件都是相互隔离的，所以该电路具有良好的抗闩锁能力和抗干扰能力，适合高压大功率开关电源。
公开/授权文献
- CN112072898A 一种NMOS功率管栅极箝位驱动模块、驱动电路和开关电源 公开/授权日：2020-12-11
