发明公开
CN112080660A 低杂质AlV55合金的制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 低杂质AlV55合金的制备方法
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申请号: CN202011039865.0申请日: 2020-09-28
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公开(公告)号: CN112080660A公开(公告)日: 2020-12-15
- 发明人: 尹丹凤 , 陈海军 , 高雷章 , 师启华
- 申请人: 攀钢集团研究院有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区西部园区创新组团攀钢集团研究院有限公司
- 专利权人: 攀钢集团研究院有限公司
- 当前专利权人: 攀钢集团研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区西部园区创新组团攀钢集团研究院有限公司
- 代理机构: 成都虹桥专利事务所
- 代理商 张小丽
- 主分类号: C22C1/03
- IPC分类号: C22C1/03 ; C22C27/02 ; C22B5/04 ; C22B34/22
摘要:
本发明属于冶金领域,特别涉及一种低杂质AlV55合金的制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种低杂质AlV55合金的制备方法,包括以下步骤:A、将高纯V2O5、高纯金属Al和高纯CaO按质量比1﹕0.771~0.824﹕0.201~0.254混合均匀,然后用点火剂引发进行铝热反应,铝热反应结束后保温,冷却后将合金破碎;B、取破碎后的合金与高纯金属Al按质量比1﹕0.189~0.264混合均匀,在惰性气氛下精炼,得到低杂质AlV55合金。本发明方法能够制备得到杂质低、成品率高的AlV55合金。