Invention Publication
- Patent Title: 宽量程隧道磁电阻传感器及惠斯通半桥
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Application No.: CN202010760164.XApplication Date: 2020-07-31
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Publication No.: CN112082579APublication Date: 2020-12-15
- Inventor: 李求洋 , 张蓬鹤 , 张卫欣 , 熊素琴 , 陈思禹 , 刘卿 , 李祯祥
- Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网天津市电力公司 , 国家电网有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区清河小营东路15号; ;
- Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国网天津市电力公司,国家电网有限公司
- Current Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国网天津市电力公司,国家电网有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清河小营东路15号; ;
- Agency: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- Agent 刘海蓉
- Main IPC: G01D5/16
- IPC: G01D5/16 ; G01R33/06 ; G01R33/09 ; G01R33/10

Abstract:
本发明公开了一种宽量程隧道磁电阻传感器,依次由反铁磁层、铁磁钉扎层、势垒绝缘层、铁磁自由层和非磁金属层叠加组成,利用电流在具有高自旋轨道力矩效应的功能材料(W,Ta,Pt,CuBi等)电极层中产生自旋流,注入到磁隧道结中的自由层中对其产生偏置磁场,从而改变TMR磁阻传感器的工作范围,由于这类偏置磁场的大小和方向可以方便地通过外加电流的大小和方向进行精确控制,所以TMR磁阻传感器的工作范围也可以根据实际需求进行实时的调节,解决TMR磁阻传感器工作范围小的问题。
Public/Granted literature
- CN112082579B 宽量程隧道磁电阻传感器及惠斯通半桥 Public/Granted day:2023-08-15
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