Invention Publication
- Patent Title: 防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法
-
Application No.: CN201980017088.9Application Date: 2019-03-01
-
Publication No.: CN112088334APublication Date: 2020-12-15
- Inventor: 小野阳介 , 高村一夫 , 大久保敦 , 种市大树 , 石川比佐子 , 美谷岛恒明
- Applicant: 三井化学株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 三井化学株式会社
- Current Assignee: 三井化学株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京银龙知识产权代理有限公司
- Agent 陈彦; 郭玫
- Priority: 2018-038368 20180305 JP
- International Application: PCT/JP2019/008189 2019.03.01
- International Announcement: WO2019/172141 JA 2019.09.12
- Date entered country: 2020-09-03
- Main IPC: G03F1/64
- IPC: G03F1/64 ; G03F1/22 ; G03F1/62 ; G03F7/20

Abstract:
本发明提供抑制了从粘接层产生释气的防护膜组件。防护膜组件(100)具有:防护膜(101);支撑上述防护膜的支撑框(103);设置于上述支撑框的突起部(105);设置于上述突起部的第1粘接层(107);以及无机物层,上述无机物层与上述第1粘接层相比设置在上述防护膜所处的一侧。上述无机物层可以包含第1无机物层(109),上述第1无机物层(109)设置于上述第1粘接层中作为与上述防护膜交叉的方向的侧面的、上述防护膜所处一侧的第1侧面(121)。
Public/Granted literature
- CN112088334B 防护膜组件、曝光原版、曝光装置及半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2024-08-27
Information query