Invention Grant
- Patent Title: 一种CrCuC梯度渐变CrCu复合碳薄膜双极板的制备方法
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Application No.: CN202011021448.3Application Date: 2020-09-25
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Publication No.: CN112111721BPublication Date: 2021-07-13
- Inventor: 张俊彦 , 贾倩 , 张斌 , 高凯雄 , 张兴凯 , 赖振国
- Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所
- Applicant Address: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- Assignee: 中国科学院兰州化学物理研究所
- Current Assignee: 中国科学院兰州化学物理研究所
- Current Assignee Address: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- Agency: 兰州智和专利代理事务所
- Agent 张英荷
- Main IPC: C23C14/35
- IPC: C23C14/35 ; C23C14/02 ; C23C14/16 ; C23C14/06 ; H01M8/021 ; H01M8/0213 ; H01M8/0228
Abstract:
本发明涉及一种CrCuC梯度渐变CrCu复合碳薄膜双极板的制备方法,是采用真空高功率微脉冲磁控溅射技术,以CrCu靶作为溅射靶材,先在不锈钢表面沉积纯CrCu金属过渡层,再由甲烷气体提供碳源,在CrCu金属过渡层上溅射沉积CrCuC梯度渐变CrCu复合碳薄膜。本发明利用真空磁控溅射制备的CrCuC梯度渐变CrCu复合碳薄膜具有良好的结合力,对基底的疏水性有很大的改善,有助于燃料电池内部的水管理;作为PEMFC的双极板,平均腐蚀电流密度为0.65~0.71μA/cm2(恒电位极化0.6 V),界面接触电阻为2.84~7.34 mΩ•cm2(在1.4 MPa的压力)且兼具高导电性和高耐腐蚀性。
Public/Granted literature
- CN112111721A 一种CrCuC梯度渐变CrCu复合碳薄膜双极板的制备方法 Public/Granted day:2020-12-22
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