- 专利标题: 基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路
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申请号: CN202011016747.8申请日: 2020-09-24
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公开(公告)号: CN112114237B公开(公告)日: 2022-03-01
- 发明人: 王凯宏 , 周雒维 , 孙鹏菊 , 黄旭 , 杜雄
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 代理机构: 重庆博凯知识产权代理有限公司
- 代理商 黄河
- 优先权: 2020109237075 20200904 CN
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G01R31/27
摘要:
本发明公开了基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路,该方法基于IGBT模块在开关过程中的门极电信号会受到因IGBT模块老化导致其内部参数变化的影响的特点,通过监测IGBT模块在开关过程中的门极电信号来评估当期IGBT模块的健康状态;具体的,以IGBT模块门极电荷为监测对象,通过监测运行过程中IGBT模块门极电荷的变化来评估当前IGBT模块的内部缺陷情况;并通过连续对多个开关周期下获得的门极电荷信息进行累积,以放大IGBT模块内部的缺陷。本方案能在不拆卸IGBT模块的情况下方便地进行监测,同时又能确保在IGBT模块正常工作下就能实现对其健康状态的准确评估,提高模块和系统的可靠性。
公开/授权文献
- CN112114237A 基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路 公开/授权日:2020-12-22