发明授权
- 专利标题: 一种等离激元吸收器及其制备方法
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申请号: CN202011134572.0申请日: 2020-10-21
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公开(公告)号: CN112114391B公开(公告)日: 2021-12-28
- 发明人: 王保清 , 王志明 , 余鹏 , 童鑫 , 林峰 , 巫江
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都市集智汇华知识产权代理事务所
- 代理商 冷洁; 刘畅
- 主分类号: G02B5/00
- IPC分类号: G02B5/00
摘要:
本发明公开一种等离激元吸收器,包括周期性单元,所述周期性单元由下至上依次为基底层、金属薄膜层和金属纳米环,所述的金属纳米环的轴向垂直于金属薄膜层表面,并且所述的金属纳米环的周向外围由电介质层包裹,并且所述的金属纳米环的内部区域由电介质层填充,在金属纳米环和电介质层的顶部覆盖有保护层。本发明所述的等离激元吸收器利用电介质层来将金属纳米环包裹并填充,能有效保护金属纳米环,提高金属纳米环的稳定性,电介质层具有良好的热稳定性,避免金属纳米环在高温环境下发生永久变形,保障等离激元吸收器的稳定的光吸收性能,提高了等离激元吸收器所能应用的工作温度,适用范围更广。
公开/授权文献
- CN112114391A 一种等离激元吸收器及其制备方法 公开/授权日:2020-12-22