本发明涉及一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料。该真空断路器用触头包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr 18‑25％，Mo 5‑10％，Ta 20‑30％，余量为Cu。本发明提供的真空断路器用触头，经磁控溅射镀覆Cu、Cr、Mo、Ta元素分布均匀的合金膜，Cu、Cr、Mo、Ta元素形成多组分稳定相结构，在高温下未发现明显相分离与扩散。经真空击穿实验表明，其可使电弧在触头表面更广泛的区域运动，减少集中侵蚀，具有优异的抗电弧烧蚀性能及耐电压性能。