- 专利标题: 一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法
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申请号: CN202010938229.5申请日: 2020-09-08
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公开(公告)号: CN112130253B公开(公告)日: 2021-07-23
- 发明人: 华平壤 , 姜唯臻
- 申请人: 派尼尔科技(天津)有限公司
- 申请人地址: 天津市滨海新区经济技术开发区黄海路276号泰达中小企业园2号楼602
- 专利权人: 派尼尔科技(天津)有限公司
- 当前专利权人: 派尼尔科技(天津)有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市滨海新区经济技术开发区黄海路276号泰达中小企业园2号楼602
- 代理机构: 北京沁优知识产权代理有限公司
- 代理商 周庆路
- 主分类号: G02B6/134
- IPC分类号: G02B6/134 ; G02B6/136 ; G02B6/122 ; G02B6/125
摘要:
本发明提供一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法,制作Y传脊型光波导的方法包括:在铌酸锂单晶薄膜+Z面的波导区形成掩膜;轻质子交换,非波导区在+Z面实现质子交换,波导区在非波导区与波导区的边界处实现X面质子交换;其中,质子源为苯甲酸和苯甲酸锂的混合物,苯甲酸锂的质量比为2%。本发明提出一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法,其主要在X切方向采用2%缓冲质子交换,可在Z切铌酸锂薄膜上制备出侧壁(X面)和表面(Z面)均很光滑、损耗低的Y传脊型光波导。
公开/授权文献
- CN112130253A 一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法 公开/授权日:2020-12-25