一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用
摘要:
本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用,结构包括:微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底;内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触;外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触;内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘;微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题,工艺简单,可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触,还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结,可广泛用于光电探测、光伏、气体传感、电子元器件等领域。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31/0256 ..以材料为特征的
H01L31/0264 ...无机材料
H01L31/0328 ....除掺杂或其他杂质外,包含已列入H01L31/0272至H01L31/032组中两组或更多个组的半导体材料
H01L31/0336 .....在不同半导体区域的,如Cu2X/CdX异质结,X为周期表中的Ⅵ族元素
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