发明公开
- 专利标题: 一种2G/3G/4G双极化陷波基站天线
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申请号: CN202010980100.0申请日: 2020-09-17
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公开(公告)号: CN112151957A公开(公告)日: 2020-12-29
- 发明人: 李敏 , 许锋 , 张耀辉 , 许崇彩 , 杨会
- 申请人: 宿迁学院 , 宿迁学院产业技术研究院
- 申请人地址: 江苏省宿迁市黄河南路399号
- 专利权人: 宿迁学院,宿迁学院产业技术研究院
- 当前专利权人: 海口美兰勤炫技术服务中心
- 当前专利权人地址: 570100 海南省海口市美兰区大英山西二街26号龙兴公馆之2层-207房-04室
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号: H01Q1/50
- IPC分类号: H01Q1/50 ; H01Q1/24 ; H01Q1/38 ; H01Q9/04
摘要:
本发明公开了一种2G/3G/4G双极化陷波基站天线,包括介质基板,以及分别印刷在介质基板上表面的上层金属层和介质基板下表面的下层金属层,所述上层金属层和下层金属层分别印制两对偶极子天线,所述偶极子天线由共面波导馈电结构馈电,所述共面波导馈电结构包括共面波导陷波结构,所述共面波导陷波结构包括印刷在上层金属层的电容金属馈线和刻蚀在下层金属层的六边形双环。本发明的偶极子天线共面波导馈电结构有利于滤波结构的引入;共面波导陷波结构具有小型化特点,每个端口串联两个陷波结构,构成二阶双零点陷波结构;二阶双零点陷波结构的带阻宽,矩形系数高;小型化的二阶陷波结构,在不增加天线体积的前提下引入了滤波特性。
公开/授权文献
- CN112151957B 一种2G/3G/4G双极化陷波基站天线 公开/授权日:2022-08-05