- 专利标题: 一种抗气体干扰型MEMS气体传感器及制备方法
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申请号: CN202010931457.X申请日: 2020-09-07
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公开(公告)号: CN112162015B公开(公告)日: 2024-06-11
- 发明人: 周李兵 , 贺耀宜 , 郝叶军 , 张清 , 胡文涛 , 王小蕾 , 张一波 , 赵立厂 , 陈珂 , 黄小明
- 申请人: 天地(常州)自动化股份有限公司 , 中煤科工集团常州研究院有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市新北区黄河西路219号;
- 专利权人: 天地(常州)自动化股份有限公司,中煤科工集团常州研究院有限公司
- 当前专利权人: 天地(常州)自动化股份有限公司,中煤科工集团常州研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市新北区黄河西路219号;
- 代理机构: 常州至善至诚专利代理事务所
- 代理商 赵旭
- 主分类号: G01N27/04
- IPC分类号: G01N27/04
摘要:
本申请揭示了一种抗气体干扰型MEMS气体传感器及制备方法,该方法包括:在氧化层的表面沉积形成一层金属电极层;利用化学气相沉积法,在金属电极层的表面沉积一层绝缘层;在绝缘层表面沉积一层气敏材料层;利用涂布或印刷的方式,在气敏材料层表面沉积一层分离膜,分离膜的纳米通道的孔径小于干扰气体分子的运动直径。本申请通过在制作MEMS气体传感器时,增加了分离膜,该分离膜的纳米通道的孔径小于干扰气体分子的运动直径,从而使得干扰气体分子在分离膜的纳米通道内发生大量碰撞,无法通过分离膜,从而实现对干扰气体的阻隔,避免干扰气体对传感器内敏感材料的影响,提高了热式传感器的准确性,使热式传感器对目标气体选择性较好。
公开/授权文献
- CN112162015A 一种抗气体干扰型MEMS气体传感器及制备方法 公开/授权日:2021-01-01