本发明公开一种远红光‑近红外光LED器件制备方法及LED器件。所述制备方法包括：将预定比例的远红光荧光粉和红色荧光粉在透明硅胶进行充分混合，得到混合物；基于预定的封装结构和封装工艺对所述混合物和蓝光LED芯片进行封装，得到LED器件。所述远红光荧光粉为Cr3+激活的稀土硼酸盐与稀土硼铝酸盐的混合物；所述红光荧光粉的化学式为(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+或M2Si5N8:Eu2+(M＝Sr,Ca,Ba,Mg)。所述LED器件采用所述制备方法而制成。根据本发明，能够解决现有采用Mn4+或Cr3+激活的荧光粉所制备的远红光‑近红外LED器件的辐射光通量小和光电效率低的问题。