发明授权
- 专利标题: 钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路
-
申请号: CN202011025266.3申请日: 2020-09-25
-
公开(公告)号: CN112234805B公开(公告)日: 2022-09-27
- 发明人: 袁远东 , 刘金虎 , 邹其峰 , 王晓飞 , 刘型志
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国网信息通信产业集团有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,西安交通大学,国网重庆市电力公司营销服务中心,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,西安交通大学,国网重庆市电力公司营销服务中心,国网信息通信产业集团有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ;
- 代理机构: 北京润平知识产权代理有限公司
- 代理商 肖冰滨; 王晓晓
- 主分类号: H02M1/08
- IPC分类号: H02M1/08 ; H02M3/335
摘要:
本发明涉及集成电路技术领域,提供一种钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路,包括驱动芯片和碳化硅MOS管,所述驱动芯片内部集成驱动电路,所述驱动芯片还集成用于控制所述碳化硅MOS管的源极电压的硅MOS管;所述驱动芯片通过控制所述硅MOS管的导通和关断来实现所述碳化硅MOS管的导通和关断。本发明在SiC MOS的源极串联一个硅MOS管,通过控制硅MOS管的导通和关断即可控制SiC MOS的导通和关断,电路结构简单,避免复杂电路结构对其它器件的影响。通过在SiC MOS的栅极加一个固定的钳位电压,在硅MOS管关断时实现栅极与源极的负压差,采用钳位源级驱动结构实现稳定的负压输出,保证SiC MOS导通和关断的稳定性,提高了系统的稳定性。
公开/授权文献
- CN112234805A 钳位源级驱动碳化硅半导体场效应管的电路 公开/授权日:2021-01-15