本发明属于稀土掺杂上转换材料技术领域，公开了一种半导体/贵金属调控的高效上转换发光复合薄膜。本发明的目的是通过结合具有等离子体共振特性的半导体和贵金属实现对小尺寸上转换发光的调控。该薄膜由高温热解制备的NaYF4:Yb,Er，热解制备的Cu2‑xS纳米盘以及种子介导法制备的Au纳米米棒，经过三相界面自组装过程将三种纳米颗粒依次沉积到掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(FTO)基底上构筑的。利用Au纳米棒的纵向表面等离激元共振与Cu2‑xS纳米盘的超宽表面等离激元共振效应的协同效应，另外为了最小化贵金属光热效应对发光淬灭的影响，将Cu2‑xS纳米盘置于稀土掺杂上转换纳米颗粒附近，进一步提高了上转换发光强度。