发明公开
- 专利标题: 一种纳米片状ZnO@Ag/绝缘复合材料及其制备方法
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申请号: CN202011084062.7申请日: 2020-10-12
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公开(公告)号: CN112280195A公开(公告)日: 2021-01-29
- 发明人: 刘宗喜 , 欧阳本红 , 赵鹏 , 陈铮铮 , 李红雷 , 迟庆国 , 王绪彬
- 申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司 , 哈尔滨理工大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号
- 专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网上海市电力公司,国家电网有限公司,哈尔滨理工大学
- 当前专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网上海市电力公司,国家电网有限公司,哈尔滨理工大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号
- 代理机构: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- 代理商 夏德政
- 主分类号: C08L23/16
- IPC分类号: C08L23/16 ; C08K9/12 ; C08K9/06 ; C08K7/00 ; C08K3/22 ; C08K3/08 ; C08K5/14
摘要:
本发明提供了一种纳米片状ZnO@Ag/绝缘复合材料的制备方法,包括以下步骤:制备ZnO纳米片;对ZnO纳米片进行改性;将改性后的ZnO纳米片分散在溶剂中形成ZnO悬浊液,将硝酸银和适量分散剂溶于溶剂中得到溶液A,将适量硼氢化钠和氢氧化钠溶于溶剂中形成溶液B,将溶液A与溶液B分别缓慢滴入所述ZnO悬浊液中,得到ZnO@Ag;取ZnO@Ag,绝缘基体材料和交联剂依次进行混炼和热压硫化成型,最终得到ZnO@Ag/绝缘复合材料。本发明可以有效的提高EPDM的电导特性,具有较低的阈值场强,良好的电导率非线性系数以及较稳定的直流击穿场强,且本发明制备工艺及所需设备简单,成本低廉,安全无污染,容易实施。