Invention Publication
- Patent Title: 读干扰减少的存储器装置以及操作该存储器装置的方法
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Application No.: CN202010376743.4Application Date: 2020-05-07
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Publication No.: CN112309463APublication Date: 2021-02-02
- Inventor: 金钟律 , 罗太熙 , 金杜应 , 白钟民
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 赵南; 张青
- Priority: 10-2019-0089794 2019.07.24 KR
- Main IPC: G11C13/00
- IPC: G11C13/00
Abstract:
存储器装置包括：存储单元阵列，其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行控制电路，其包括与字线相对应的多个行开关；列控制电路，其包括与位线相对应的多个列开关；以及控制逻辑电路，其被配置为在数据读操作期间控制对所选择的存储单元的字线和位线的预充电操作并且在预充电时段之后执行控制操作以将该字线和该位线一起浮置。该字线和该位线中的一者在预充电时段之后浮置，并且该字线和该位线中的另一者在预充电时段之后伪浮置。
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