本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种金属互连层的形成方法。所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括第一表面和第二表面，在所述晶圆第一表面形成有铜互连层；在所述铜互连层上形成刻蚀停止层和第二介质层；刻蚀所述第二介质层形成通孔，所述通孔暴露出所述刻蚀停止层的局部；对所述晶圆第二表面执行第一清洗工艺；去除所述通孔暴露出的刻蚀停止层；对所述晶圆第二表面执行第二清洗工艺。本申请所述金属互连层的形成方法，一方面避免了转制程后的交叉污染，另一方面避免由于晶圆第二表面铜膜清洗问题造成的良率损失。