发明授权
- 专利标题: 一种基于近场热辐射的多级热控逻辑开关
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申请号: CN202011029738.2申请日: 2020-09-27
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公开(公告)号: CN112331765B公开(公告)日: 2023-04-18
- 发明人: 易红亮 , 周承隆 , 张勇 , 谈和平
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- 代理商 裴闪闪
- 主分类号: H10N70/00
- IPC分类号: H10N70/00 ; H03K17/51 ; C23C14/08 ; C23C14/24 ; C23C14/28 ; C23C14/35
摘要:
一种基于近场热辐射的多级热控逻辑开关。本发明属于热调整器领域。本发明的目的是为了解决现有逻辑热开关仅能支持一种信号的热布尔运算的技术问题。本发明的基于近场热辐射的多级热控逻辑开关由接收端复合结构、发射端复合结构和设置于二者之间的间隔物构成,接收端复合结构和发射端复合结构之间通过间隔物形成真空间隙;所述接收端复合结构和发射端复合结构完全相同且相对于间隔物对称设置,所述接收端复合结构由上至下依次为接收端基底、接收端内层膜、接收端外层膜;所述发射端复合结构由上至下依次为发射端外层膜、发射端内层膜、发射端基底。本发明通过控制器件之间的近场辐射热交换,实现在微尺度上进行开、或、关逻辑操作的可能。
公开/授权文献
- CN112331765A 一种基于近场热辐射的多级热控逻辑开关 公开/授权日:2021-02-05