- 专利标题: 预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法
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申请号: CN202011362089.8申请日: 2020-11-27
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公开(公告)号: CN112332216B公开(公告)日: 2021-09-21
- 发明人: 方照诒 , 郭浩中 , 潘德烈
- 申请人: 北京金太光芯科技有限公司
- 申请人地址: 北京市东城区王府井大街218-1号B4层A407
- 专利权人: 北京金太光芯科技有限公司
- 当前专利权人: 北京金太光芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市东城区王府井大街218-1号B4层A407
- 代理机构: 北京驰纳智财知识产权代理事务所
- 代理商 李佳佳
- 主分类号: H01S5/183
- IPC分类号: H01S5/183
摘要:
本发明提供一种预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法,至少包括基底、第一反射镜层、主动区和第二反射镜层,制作方法包括:根据预先在所述第一反射镜层中标定的所述离子布植区域将离子布植到所述第一反射镜层中;在离子布植后,继续在所述第一反射镜层上进行二次外延生长,从而生成所述垂直腔面发射激光器;或,根据预先在所述第一反射镜层中标定的所述离子布植区域将离子布植到预先生成的部分垂直腔面发射激光器;在离子布植后,继续在生成的部分垂直腔面发射激光器上进行二次外延生长,从而所述垂直腔面发射激光器。
公开/授权文献
- CN112332216A 预离子布植的垂直腔面发射激光器的制作方法 公开/授权日:2021-02-05