- 专利标题: 一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构及制备方法
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申请号: CN202011164067.0申请日: 2020-10-27
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公开(公告)号: CN112350144B公开(公告)日: 2021-09-07
- 发明人: 王智勇 , 李尉 , 代京京 , 兰天
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京汇信合知识产权代理有限公司
- 代理商 朱鹏
- 主分类号: H01S5/024
- IPC分类号: H01S5/024 ; H01S5/028 ; H01S5/42
摘要:
本发明公开了一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构及制备方法,包括:底发射二维周期性VCSEL阵列芯片、热沉和多层单晶反射膜层;底发射二维周期性VCSEL阵列芯片包括衬底层和设于衬底层底部的二维周期性VCSEL发光单元;VCSEL发光单元的底部通过焊料层与热沉相连,衬底层的顶部设有多层单晶反射膜层;其中,热沉的热膨胀系数与衬底层的热膨胀系数相当,单晶反射膜层具有与衬底层相同的晶格结构。本发明热沉的热膨胀系数与VCSEL阵列芯片的衬底层的热膨胀系数相当,其可减小芯片内部热应力,抑制芯片受热发生形变;在衬底层顶部制备与衬底层晶格相匹配的多层单晶膜层,提高单晶反射层间以及与衬底层之间的粘附力。
公开/授权文献
- CN112350144A 一种高功率VCSEL阵列芯片倒装焊封装结构及制备方法 公开/授权日:2021-02-09