- 专利标题： 一种转移印刷集成的顶入射InGaAs探测器的制备方法
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申请号： CN202011137301.0申请日： 2020-10-22
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公开(公告)号： CN112366247B公开(公告)日： 2021-10-08
- 发明人: 王宇轩 , 李冠宇 , 孔月婵 , 陈堂胜
- 申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 申请人地址： 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
- 代理机构： 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 陆烨
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0203 ; H01L31/0232 ; H01L31/105
摘要：
一种转移印刷集成的顶入射InGaAs探测器的制备方法，该方法通过在被集成的衬底上优先制备一层金属作为探测器的背反射层，同时该层金属也可作为探测器集成时的对准标记。本发明可以有效地提升集成的顶入射探测器的响应度：解决了传统顶入射探测器由于缺少光反射层导致探测效率低的问题，从而提升集成的探测器的工作性能。本发明有望推广至其他集成顶入射式III‑V族探测器的集成中，具有较好的通用性。
公开/授权文献
- CN112366247A 一种转移印刷集成的顶入射InGaAs探测器的制备方法 公开/授权日：2021-02-12
IPC分类:
