发明公开
- 专利标题: 一种高压半导体设备保护用快速熔断器
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申请号: CN201910792997.1申请日: 2019-08-16
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公开(公告)号: CN112397360A公开(公告)日: 2021-02-23
- 发明人: 程瑜 , 屈智云 , 郭婧怡 , 顾子涵
- 申请人: 赫森电气(无锡)有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市惠山经济开发区风电园畅惠路6-1
- 专利权人: 赫森电气(无锡)有限公司
- 当前专利权人: 赫森电气(无锡)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市惠山经济开发区风电园畅惠路6-1
- 主分类号: H01H85/042
- IPC分类号: H01H85/042 ; H01H85/05 ; H01H85/10 ; H01H85/47
摘要:
本发明提供了一种高压半导体设备保护用快速熔断器,并采用一个整体的方案,可替代目前高电压设备保护采用多个熔断器串联的方式,熔断器总长度达到1000mm以上,包括安装架、熔管、端盖、熔体、灭弧介质、熔体支架安装轴、熔体支架安装轴固定套、熔体支架、支架固定卡子、灭弧垫和导电触头。由于在熔断器熔管的内腔设置了一个熔体支架安装轴,并在安装轴上安装了多个熔体支架,可使熔体在熔管内沿长度方向均匀分布,又可以在额定电流要求提高,所需要排布的熔体数量增加时,不需要增大熔管直径,使熔体在熔体支架上从内到外多层排布,使额定电流最大可达2000A以上、额定电压达到10000VDC以上,分断能力达到30kA,可用来保护变频器、IGBT、高压电池组以及其它大型半导体设备。
IPC分类: