发明公开
CN112433132A 判别GIS内绝缘材料劣化程度的气敏光纤传感器及方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 判别GIS内绝缘材料劣化程度的气敏光纤传感器及方法
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申请号: CN202011298533.4申请日: 2020-11-19
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公开(公告)号: CN112433132A公开(公告)日: 2021-03-02
- 发明人: 沈涛 , 杨添宇 , 梁涵 , 刘驰 , 张智文 , 王韶峰 , 宋明歆
- 申请人: 哈尔滨理工大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学西区
- 专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人: 哈尔滨理工大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学西区
- 主分类号: G01R31/12
- IPC分类号: G01R31/12 ; G01N21/41 ; G01N21/552 ; G01N21/01
摘要:
本发明专利提供了判别GIS内绝缘材料劣化程度的气敏光纤传感器及方法,由宽带光源、偏振器、测试气室、D型光子晶体光纤、单模光纤、光谱分析仪和计算机组成;光纤传感器位于测试气室内,测试气室内有控制四氟化碳气体的入口和出口;D型光子晶体光纤侧面抛光表面涂覆铂复合石墨烯薄膜,与D型光子晶体光纤熔接的单模光纤、涂覆铂复合石墨烯薄膜的D型光子晶体光纤一起构成所述的判别GIS内绝缘材料劣化程度的气敏光纤传感器的探头。利用SPR传感机制,将四氟化碳气体折射率RI的微小变化转换成可测量的损耗峰的变化,实现折射率传感,具有灵敏度高、设计灵活、结构紧凑、稳定性强等优点,在绝缘材料劣化程度判别中具有广泛的应用价值。
公开/授权文献
- CN112433132B 一种判别GIS内绝缘材料劣化程度的气敏光纤传感器 公开/授权日:2022-07-01