- 专利标题: 一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法
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申请号: CN202011372180.8申请日: 2020-11-30
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公开(公告)号: CN112480407B公开(公告)日: 2023-07-04
- 发明人: 曹河文 , 许辉 , 祝春才
- 申请人: 浙江中科玖源新材料有限公司
- 申请人地址: 浙江省金华市兰溪市兰江街道兰溪经济开发区光膜小镇
- 专利权人: 浙江中科玖源新材料有限公司
- 当前专利权人: 浙江中科玖源新材料有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省金华市兰溪市兰江街道兰溪经济开发区光膜小镇
- 代理机构: 合肥金律专利代理事务所
- 代理商 杨霞
- 主分类号: C08G73/10
- IPC分类号: C08G73/10 ; C08K9/06 ; C08K9/10 ; C08K9/04 ; C08K7/24 ; C08K3/36 ; C08J5/18 ; C08L79/08
摘要:
本发明提出了一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法,包括将介孔分子筛与正硅酸乙酯、含氨基硅烷化偶联剂和氨水进行反应,得到表面氨基修饰的介孔材料;将所述表面氨基修饰的介孔材料与二胺以及二酐单体进行缩聚反应后,再进行热亚胺化并成膜,即得到所述低介电、低损耗的聚酰亚胺薄膜。本发明提出的一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法,通过在聚酰亚胺中引入尺寸均一且表面具有氨基修饰的介孔材料,使所得聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗都得到有效降低。
公开/授权文献
- CN112480407A 一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法 公开/授权日:2021-03-12