发明授权
- 专利标题: 一种原位成膜保护锂金属负极的方法
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申请号: CN202011345022.3申请日: 2020-11-25
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公开(公告)号: CN112490411B公开(公告)日: 2022-04-12
- 发明人: 张耀辉 , 何一涛 , 丁飞 , 刘兴江 , 王志红 , 吕喆 , 黄喜强 , 刘志国
- 申请人: 哈尔滨工业大学 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- 专利权人: 哈尔滨工业大学,中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学,中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- 代理机构: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- 代理商 侯静
- 主分类号: H01M4/1395
- IPC分类号: H01M4/1395 ; H01M4/62 ; H01M10/052 ; C25D11/34
摘要:
一种原位成膜保护锂金属负极的方法,它要解决现有锂金属电池抑制锂枝晶生长的方法难以形成均匀的保护膜,保护效果不好的问题。原位成膜保护锂金属负极的方法:一、先制备氧化铝前驱体溶胶,氧化铝前驱体溶胶旋涂在导电基片上,在马弗炉中以630~680℃的温度保温,得到负载有过渡固态电解质膜的导电基片;二、在氩气保护条件下将抛光的金属材料置于负载有过渡固态电解质膜的导电基片上,夹固后分别给导电基片和金属材料施加负电压和正电压,进行阳极氧化处理。本发明通过阳极氧化原位膜保护的锂金属全电池的循环寿命由未保护的锂金属全电池的76圈提升到了300圈。经过该原位保护材料修饰后锂金属电极的稳定性明显提高。
公开/授权文献
- CN112490411A 一种原位成膜保护锂金属负极的方法 公开/授权日:2021-03-12