本发明公开了一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法，其方法如下：将废弃封装材进行破碎；将所得的封装材碎片置于承载盘，置入一烘箱进行裂化处理，使热固性树脂产生缺陷或裂隙，或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离；将裂化处理所得的封装材碎片，置入加热分解槽，再加入分解液进行分解；将已分解完成的封装材及分解液，以第一压滤机过滤，得到二氧化硅滤饼，将此滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗；将清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤，得到白色的二氧化硅滤饼；将所得的二氧化硅滤饼进行烘干；将所得的块状二氧化硅进行破碎及分级，如此，可得到纯度大于99％的高纯度二氧化硅粉体。