摘要：
本发明涉及半导体老化测试技术领域，公开了一种监测及确认半导体器件老化状态的方法，包括：持续采集一段时间内所述半导体器件的至少一个性能参数；监测至少一个所述性能参数的数值变化；根据所述性能参数的数值变化确认所述半导体器件的老化状态。本发明通过监测半导体器件一种或多种性能参数的组合的数值变化，能够及时监测和确认老化完成的时间点，有效缩短了老化测试的时间，进而提高了产品的质量且降低了测试成本。
公开/授权文献
- CN112505519A 一种监测及确认半导体器件老化状态的方法、装置及计算机可读存储介质 公开/授权日：2021-03-16
