本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上沉积第一硬掩膜层；刻蚀第一硬掩膜层留下中心区域后向源极、漏极注入离子；在第一硬掩膜层外沿沉积第二硬掩膜层；在第一硬掩膜层中心区域上刻蚀一孔结构，并腐蚀该孔结构对应位置的衬底钝化层；在孔内及第一硬掩膜层、第二硬掩膜层上进行金属沉积；刻蚀第一硬掩膜层和第二硬掩膜层上部分金属形成栅帽结构后腐蚀掉硬掩膜层；遮挡栅帽结构并露出源极、漏极的金属区；在金属区沉积金属，去掉栅帽结构的遮挡。本方案的方法通过沉积、刻蚀方式实现栅极制备，制备栅极时不需要借助光刻机，工艺波动小，具有低成本、高效率、高成品率的特点，可以广泛用于高频毫米波及太赫兹芯片的生产制造。