发明授权
- 专利标题： SEB耐性评价方法及SEB耐性评价装置
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申请号： CN202010852061.6申请日： 2020-08-21
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公开(公告)号： CN112526313B公开(公告)日： 2023-12-29
- 发明人: 瓜生胜美 , 凑忠玄 , 中谷贵洋
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权： 2019-154792 2019.08.27 JP
- 主分类号： G01R31/265
- IPC分类号： G01R31/265
摘要：
提供无需使用通过使用了加速器等大型的放射线设施的实验得到的数据，就能够对半导体元件的SEB耐性进行评价的SEB耐性评价装置及SEB耐性评价方法。SEB耐性评价方法具有以下步骤：在半导体元件的模型内配置激励光源；以及一边改变向半导体元件的模型的施加电压及激励光源的能量，一边求出使半导体元件热失控的激励光源的能量。
公开/授权文献
- CN112526313A SEB耐性评价方法及SEB耐性评价装置 公开/授权日：2021-03-19