发明公开
- 专利标题: 一种提高高丰度铈磁体晶界扩散效果的方法
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申请号: CN202011355320.0申请日: 2020-11-27
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公开(公告)号: CN112530689A公开(公告)日: 2021-03-19
- 发明人: 徐鹏 , 周军 , 孙红军 , 宋伟 , 刘军 , 翟厚勤 , 聂明 , 陈静
- 申请人: 中钢天源股份有限公司
- 申请人地址: 安徽省马鞍山市雨山区霍里山大道南段9号
- 专利权人: 中钢天源股份有限公司
- 当前专利权人: 中钢天源股份有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省马鞍山市雨山区霍里山大道南段9号
- 代理机构: 马鞍山市金桥专利代理有限公司
- 代理商 鲁延生
- 主分类号: H01F41/02
- IPC分类号: H01F41/02 ; H01F1/057
摘要:
本发明涉及烧结钕铁硼磁性材料领域,具体涉及一种提高高丰度铈磁体晶界扩散效果的方法,包括两级扩散,其特征在于,包括:将镨、钕合金铸片,氢碎后磨制成粉末,与溶剂混合,涂覆于含铈磁体,高温扩散;再将铽合金铸片,氢碎后磨制成粉末,与溶剂混合,涂覆于一级扩散的产品表面,再高温二级扩散得到最终产品的方法,该方法通过两级扩散,可使含铈磁体的矫顽力涨幅提高至9.12kOe,而目前在含铈磁体中进行晶界扩散绝大多数的矫顽力涨幅停留在3kOe‑5kOe之间。