- 专利标题: 声敏传感器封装结构制作方法和声敏传感器封装结构
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申请号: CN202110190863.X申请日: 2021-02-20
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公开(公告)号: CN112551483B公开(公告)日: 2021-05-07
- 发明人: 孙成富 , 李利 , 何正鸿
- 申请人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
- 专利权人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 当前专利权人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 徐丽
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00 ; B81B7/00 ; G01H11/06 ; H01Q1/22 ; H04R1/08 ; H04R31/00
摘要:
本申请实施例提供了一种声敏传感器封装结构制作方法和声敏传感器封装结构,涉及半导体制作技术领域,声敏传感器封装结构制作方法包括:在基板的一侧装贴声敏传感器芯片;在所述基板上所述声敏传感器芯片所在的一侧放置盖体,所述盖体包括进音孔,所述盖体用于保护所述声敏传感器芯片,所述进音孔用于传输声音至所述声敏传感器芯片;将射频芯片装贴至所述盖体远离所述装贴声敏传感器芯片的一侧;对所述射频芯片进行选择性包封形成塑封体,所述塑封体未覆盖所述进音孔;在所述塑封体表面制作天线,以形成声敏传感器封装结构,通过上述步骤,能够利用塑封体实现一种稳定的声敏传感器封装结构,并利用射频芯片实现声敏传感器封装结构功能的多样化。
公开/授权文献
- CN112551483A 声敏传感器封装结构制作方法和声敏传感器封装结构 公开/授权日:2021-03-26