- 专利标题： 形成具有较高CAP恢复率和较低ESR的电解电容器的方法
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申请号： CN201980049729.9申请日： 2019-06-18
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公开(公告)号： CN112585707A公开(公告)日： 2021-03-30
- 发明人: 史亚茹 , 安东尼·P·查科 , 阿贾伊库马尔·布恩哈 , 陈庆平
- 申请人： 凯米特电子公司
- 申请人地址： 美国佛罗里达州
- 专利权人： 凯米特电子公司
- 当前专利权人： 凯米特电子公司
- 当前专利权人地址： 美国佛罗里达州
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 孙微; 孙进华
- 优先权： 16/046,154 20180726 US
- 国际申请： PCT/US2019/037716 2019.06.18
- 国际公布： WO2020/040851 EN 2020.02.27
- 进入国家日期： 2021-01-26
- 主分类号： H01G9/00
- IPC分类号： H01G9/00 ; H01G9/042 ; H01G9/052
摘要：
本发明提供了一种改进的电容器，该电容器由包括以下的方法形成：提供其上包括电介质的阳极，其中阳极包含烧结粉末，其中粉末的粉末电荷为至少45,000μFV/g；以及通过施加第一浆料形成包围电介质的至少一部分的第一导电聚合物层，其中第一浆料包含聚阴离子和导电聚合物，并且其中聚阴离子与导电聚合物的重量比大于3，其中导电聚合物和聚阴离子形成平均粒径不大于20nm的导电颗粒。
公开/授权文献
- CN112585707B 形成具有较高CAP恢复率和较低ESR的电解电容器的方法 公开/授权日：2023-02-21
