发明授权
- 专利标题: 用于阳光控制的双氮化钛薄层
- 专利标题(英): Dual titanium nitride layers for solar control
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申请号: CN99813054.0申请日: 1999-10-28
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公开(公告)号: CN1125995C公开(公告)日: 2003-10-29
- 发明人: F·E·伍达得 , 戴依盛
- 申请人: 南壁技术股份有限公司 , 格罗麦崔克斯私人控股有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 南壁技术股份有限公司,格罗麦崔克斯私人控股有限公司
- 当前专利权人: 南壁技术股份有限公司,首诺新加坡私人有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所
- 代理商 孙敬国
- 优先权: 09/184,416 1998.11.02 US
- 国际申请: PCT/US1999/25416 1999.10.28
- 国际公布: WO2000/26704 EN 2000.05.11
- 进入国家日期: 2001-05-08
- 主分类号: G02B5/22
- IPC分类号: G02B5/22 ; G02B5/28
摘要:
阳光控制元件(11)利用薄层的组合,包括隔开的氮化钛薄层(16和18),选择地透射比近红外光能量高的可见光的百分比,并具有低的可见光反射率。将氮化钛薄层隔开一个距离,该距离捉进有关可见光发生的相长和相消干的光学退耦。在实施例中,该氮化钛薄层被层状粘合剂(20)所隔开在波长为550nm处的透射率对在波长为1500nm处的透射度之比至少为1.25。各个氮化钛是溅射沉积的。采取了防备以保证各个薄层不会变得太金属性,并且保证过剩的氧不会结合进薄层,因此,控制了氮的流率和线速度。采用大功率和最小可接受的氮流,溅射在块的速率下发生,使衬底污染减到最小。
公开/授权文献
- CN1325496A 用于阳光控制的双氮化钛薄层 公开/授权日:2001-12-05