本发明公开了一种氧化镓SBD的制备方法及结构，属于半导体制造技术领域，一种氧化镓SBD的制备方法，包括N+高浓度衬底，生长在N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓外延层，通过在N‑低浓度氧化镓外延层上淀积第一掩膜层和第二掩膜层，然后刻蚀形成凹槽，在凹槽上生长P型异质层，最后制备阴极和阳极。所述氧化镓SBD结构包括N+高浓度衬底，生长在N+高浓度衬底上的N‑低浓度氧化镓，在N‑低浓度氧化镓上设有凹槽，凹槽内有P型异质层，最后制备阴极和阳极。本发明提供的制备氧化镓SBD的方法，采用双层掩膜，通过湿法处理修复刻蚀损伤，提高了器件的击穿特性。