发明公开
CN112652770A 低比表面积的硅碳负极材料及其制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 低比表面积的硅碳负极材料及其制备方法
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申请号: CN202011523125.4申请日: 2020-12-21
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公开(公告)号: CN112652770A公开(公告)日: 2021-04-13
- 发明人: 李星烁 , 冯苏宁 , 李辉 , 刘芳 , 卢勇 , 顾华清 , 周敏 , 卢程
- 申请人: 溧阳紫宸新材料科技有限公司 , 江西紫宸科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市溧阳市昆仑街道城北大道588号;
- 专利权人: 溧阳紫宸新材料科技有限公司,江西紫宸科技有限公司
- 当前专利权人: 溧阳紫宸新材料科技有限公司,江西紫宸科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市溧阳市昆仑街道城北大道588号;
- 代理机构: 北京慧诚智道知识产权代理事务所
- 代理商 李楠
- 主分类号: H01M4/62
- IPC分类号: H01M4/62 ; H01M4/38 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00
摘要:
本发明涉及一种低比表面积的硅碳负极材料及其制备方法,所述制备方法包括:制备纳米硅浆料;将纳米硅浆料、粘结剂和碳材料进行液相混合,超声搅拌形成均一分散的混合液;对混合液进行喷雾干燥,得到纳米硅/碳材料/粘结剂的复合颗粒;其中,所述复合颗粒中,纳米硅通过所述粘结剂粘接包覆在碳材料颗粒表面;利用热解碳前躯体对所述复合颗粒进行包覆,得到具有包覆层的复合材料;将所述具有包覆层的复合材料在惰性气氛下900℃‑1500℃下保温4‑8小时,使得所述具有包覆层的复合材料碳化;对碳化后的材料过筛后,得到所述硅碳负极材料。