Invention Grant
- Patent Title: 一种提升储能层状材料离子嵌入/脱出速率的方法
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Application No.: CN202010353052.2Application Date: 2020-04-29
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Publication No.: CN112666242BPublication Date: 2022-12-30
- Inventor: 曹元成 , 郭亚晴
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 武汉卓越志诚知识产权代理事务所
- Agent 戴宝松
- Main IPC: G01N27/48
- IPC: G01N27/48 ; G01N27/416 ; G01R19/00 ; G01R31/12 ; G01R27/02

Abstract:
本发明公开了一种提升储能层状材料中离子嵌入/脱出速率的方法,通过制备层状正极材料,并将其置于不同电解液体系中,利用电化学检测及理论计算的方式对层状正极材料嵌离子后的晶格信息及不同条件下的离子扩散状态进行分析,得到层状正极材料的层间距与电解质阳离子尺寸的差值与离子嵌入/脱出速率间的关系,并通过对所述差值进行调控,提升储能层状材料离子嵌入/脱出速率,得到高倍率正极材料体系。通过上述方式,本发明能够得到影响离子嵌入/脱出速率的关键因素,从而获得具有通用性和指导意义的提升储能层状材料中离子嵌入/脱出速率的方法,有利于指导实验设计得到高倍率电池体系,并促进动力电池体系的开发,具有重要的社会经济学意义。
Public/Granted literature
- CN112666242A 一种提升储能层状材料离子嵌入/脱出速率的方法 Public/Granted day:2021-04-16
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