Invention Grant
- Patent Title: 一种发光二极管
-
Application No.: CN201910996117.2Application Date: 2019-10-18
-
Publication No.: CN112687775BPublication Date: 2021-11-16
- Inventor: 王锋 , 夏章艮 , 詹宇 , 聂恩松 , 何安和 , 彭康伟 , 林素慧
- Applicant: 厦门三安光电有限公司
- Applicant Address: 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
- Assignee: 厦门三安光电有限公司
- Current Assignee: 厦门三安光电有限公司
- Current Assignee Address: 福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
- Main IPC: H01L33/20
- IPC: H01L33/20 ; H01L33/44
Abstract:
本发明提供如下发光二极管,其包括:透明衬底,该透明衬底具备第一表面;发光构造体,包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层;绝缘介质层一,覆盖所述发光构造体的顶表面以及侧壁,具有第一开口和第二开口;绝缘介质层二,覆盖所述发光构造体周围露出的透明衬底的第一表面;第一电极和第二电极,分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接;绝缘介质层一覆盖在第二导电型半导体层的顶表面的部分比绝缘介质层二的透光性低。通过所述绝缘介质层二的设计,减少切割道的光损失,增大出光。
Public/Granted literature
- CN112687775A 一种发光二极管 Public/Granted day:2021-04-20
Information query
IPC分类: