本发明属于存储器控制领域，涉及用于电力芯片的非易失性存储读取加速方法，通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令和跨步预取加速处理器从Flash读取数据，其中所述通过行长自适应缓存加速处理器从Flash读取指令包括：对处理器发起的取指请求，根据缓存命中和缺失判断，进行缓存行填充并重构缓存行长，向Flash发起读取指令请求；所述通过跨步预取加速处理器从Flash读取数据包括：对处理器发起的取数请求，根据缓冲寄存器命中和缺失的判断和跨步预取使能位的有效情况，向Flash发起读取数据请求。本发明硬件开销小，提高了处理器从Flash中读取指令和数据的速度，同时降低了访问功耗。