Invention Grant
- Patent Title: 一种提高发光二极管发光效率的方法
-
Application No.: CN201910975239.3Application Date: 2019-10-14
-
Publication No.: CN112736176BPublication Date: 2023-01-13
- Inventor: 马来鹏 , 任文才 , 杜金红 , 张鼎冬 , 成会明
- Applicant: 中国科学院金属研究所(CN)
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- Assignee: 中国科学院金属研究所(CN)
- Current Assignee: 中国科学院金属研究所(CN)
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- Agency: 沈阳优普达知识产权代理事务所
- Agent 张志伟
- Main IPC: H01L33/44
- IPC: H01L33/44 ; H01L33/42

Abstract:
本发明涉及发光二极管的制作领域,具体为一种通过增透型掺杂剂薄膜提高发光二极管发光效率的方法。该方法在透明电极与发光层之间引入增透型掺杂剂薄膜,通过增透型掺杂剂薄膜同时改善透明电极的光外耦合效率和电荷注入效率,从而提升发光二极管的发光效率:在透明电极的表面形成增透型掺杂剂薄膜,利用薄膜的光学增透效应促进波导模式耦合进入透明电极,从而提高发光二极管的出光率;同时利用薄膜的表面电荷转移作用对透明电极进行掺杂以改善其功函数,从而提高电极的电荷注入效率。该方法无需使用复杂的微纳结构,与发光二极管的制作工艺兼容性高,为发展高性能发光二极管提供了简单有效的技术途径。
Public/Granted literature
- CN112736176A 一种提高发光二极管发光效率的方法 Public/Granted day:2021-04-30
Information query
IPC分类: