Invention Grant
CN112760613B 一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法
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Application No.: CN201911001796.1Application Date: 2019-10-21
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Publication No.: CN112760613BPublication Date: 2021-11-09
- Inventor: 徐明生 , 梁涛 , 冯志红 , 蔚翠
- Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
- Applicant Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;
- Assignee: 浙江大学,中国电子科技集团公司第十三研究所
- Current Assignee: 浙江大学,中国电子科技集团公司第十三研究所
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;
- Agency: 杭州天勤知识产权代理有限公司
- Agent 白静兰
- Main IPC: C23C16/30
- IPC: C23C16/30 ; B82Y40/00 ; C01G39/06
Abstract:
本发明公开了一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法,所述制备方法包括:(1)将含C的MoO3源材料和S源材料放置在化学气相沉积设备的不同位置;(2)对化学气相沉积设备进行加热,并分别控制含C的MoO3源材料和S源材料位置的温度,反应得到碳掺杂的二硫化钼纳米材料。本发明提供的制备方法简单,通过控制MoO3源材料中C的含量以及反应温度,可以简单地得到不同碳掺杂的二硫化钼纳米材料、制备的材料具有不同的能带结构,制备成本低。
Public/Granted literature
- CN112760613A 一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法 Public/Granted day:2021-05-07
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