- 专利标题: 增强有机半导体热电性能的方法及有机半导体热电器件
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申请号: CN202110198823.X申请日: 2021-02-22
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公开(公告)号: CN112768597A公开(公告)日: 2021-05-07
- 发明人: 胡袁源 , 陈凯旋 , 陈平安 , 陈卓俊
- 申请人: 湖南大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号湖南大学
- 专利权人: 湖南大学
- 当前专利权人: 湖南大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号湖南大学
- 代理机构: 北京中知法苑知识产权代理有限公司
- 代理商 李明; 赵吉阳
- 主分类号: H01L35/34
- IPC分类号: H01L35/34 ; H01L35/24
摘要:
本发明提供了一种增强有机半导体热电性能的方法以及制备有机半导体热电器件,本发明以有机半导体材料为主体,并将量子点沉积到有机半导体层上,形成有机半导体/量子点异质结。该方法工艺简单,成本低,具有通用性,高电导率和较大的功率因数,从而可以应用在热电器件领域。
公开/授权文献
- CN112768597B 增强有机半导体热电性能的方法及有机半导体热电器件 公开/授权日:2022-02-22
IPC分类: